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牛智川

作品数：354 被引量：235H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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徐应强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 半导体激光器 中红外 波导 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 红外探测器 INAS/GASB超晶格 锑化物 探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尚向军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 纳米线 单光子源 淀积 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任正伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 INAS/GASB超晶格 盖层 红外光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
喻颖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 量子点 GAAS 淀积 INAS量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 多量子阱 砷化镓 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺振宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 纳米线 超晶格 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐建星
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 GAAS 量子点 淀积 二氧化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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