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苏永波

作品数：57 被引量：23H指数：3
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金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 电极 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
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丁芃
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 INP基 溶胶-凝胶法 电路 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 HBT 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪宁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：减薄 研磨工艺 光刻胶 化学机械抛光 抛光
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姚鸿飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：毫米波 全相参 W波段 磷化铟 INP基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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