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龙飞

作品数：13 被引量：37H指数：3
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
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领域

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地区

  • 24个重庆市
共 24 条 记 录，以下是 1-10
李仁豪
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 电荷耦合器件 TDI 读出电路 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阙蔺兰
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：多晶硅 LPCVD CCD 电荷耦合器件 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖乃镘
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：电荷耦合器件 CCD 氢化非晶硅薄膜 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张顾万
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：PECVD 氮化硅 介质膜 LPCVD 发雾
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋志伟
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：非均匀性校正 CCD 非均匀性 红外图像 TDI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗春林
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：电荷耦合器件 多晶硅 硅片 CCD 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向鹏飞
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 选择比 反应离子刻蚀 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李睿智
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 光电探测器 电荷耦合器件 Γ辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾正伟
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 光电探测器 抗冲击 绝缘电阻 金属外壳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭培
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 反应离子刻蚀 二次金属 刻蚀 面阵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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