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李辉

作品数：29 被引量：64H指数：5
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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周建军
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：GAN_HEMT器件 势垒层 金刚石 金属 GAN
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戴永胜
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
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陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
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孔岑
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：GAN_HEMT器件 势垒层 刻蚀 金属 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞土法
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 多倍频程 可变衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岑元飞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 单片集成电路 集成电路 单片 S波段
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陈辰
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：势垒 高电子迁移率晶体管 4H-SIC 碳 硅
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李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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