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牛斌

作品数：14 被引量：21H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

  • 17个江苏省
共 17 条 记 录，以下是 1-10
程伟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 HBT工艺 MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王元
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 异质结双极型晶体管 HBT工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常龙
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆海燕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 太赫兹 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 键合 二维电子气 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 太赫兹 GAN 微光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周明
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：倍频器 倍频 太赫兹 肖特基二极管 W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 电子束直写 低噪声放大器 GAN高电子迁移率晶体管 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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