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杨小平

作品数:13 被引量:15H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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37 条 记 录,以下是 1-10
郑厚植
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宗圭
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 自组织生长 GAAS 砷化铟 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张耀辉
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题:超晶格 聚光器 砷化镓 聚光 空间光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 单光子探测 超晶格 场效应晶体管 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李承芳
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院
研究主题:YB PR 光子晶体 共掺 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许继宗
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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