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杨小平

作品数：13 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宗圭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 GAAS 砷化铟 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张耀辉
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：超晶格 聚光器 砷化镓 聚光 空间光调制器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 单光子探测 超晶格 场效应晶体管 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李承芳
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院
研究主题：YB PR 光子晶体 共掺 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许继宗
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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