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王永进

作品数：15 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
张峰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：注氧隔离 SOI 高温退火 波导 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林志浪
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：波导 反应离子刻蚀 原位合成 烧结助剂 制作方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程新利
供职机构：苏州科技大学
研究主题：非晶薄膜 极板 敏感元件 谐振电抗器 FE-ZR-B
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志君
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER 波导 ER 反应离子刻蚀 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹共柏
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：反应离子刻蚀 波导 各向异性腐蚀 绝缘埋层 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖海波
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER AL ER 富硅氧化硅 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昌盛
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER ER 富硅氧化硅 光致发光 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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