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10 条 记 录,以下是 1-10
杜江锋
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒层 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄思霓
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 氮化镓 势垒 击穿电压 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严慧
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 氮化镓 半导体技术 栅氧化层 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗杰
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 氮化镓 击穿电压 电平位移 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗谦
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵子奇
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 氮化镓 异质结场效应晶体管 欧姆接触 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈南庭
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 异质结场效应晶体管 铟镓氮 二维电子气 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构:电子科技大学
研究主题:半导体技术 可重构 栅氧化层 应变硅 插损
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严慧
供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:HEMT ALGAN/GAN_HEMT 氮化铝 高电子迁移率晶体管 界面粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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