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徐晓春

作品数：5 被引量：10H指数：2
供职机构：河北半导体研究所更多>>
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共 15 条 记 录，以下是 1-10
李献杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片集成 量子阱红外探测器 INP/INGAAS INP OEIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敖金平
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：光接收机 HEMT OEIC MSM INALAS/INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾庆明
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：INP/INGAAS HEMT OEIC INP HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟吉
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：光接收机 GAAS_HBT OEIC 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁春广
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微机械 光开关 砷化镓 GAAS 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王全树
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：INP GAAS_HBT OEIC 触发器 ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘式墉
供职机构：吉林大学
研究主题：有机电致发光器件 激光器 OLED 有机电致发光 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志功
供职机构：东南大学
研究主题：CMOS CMOS工艺 光纤通信 神经信号 压控振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨树人
供职机构：大连理工大学
研究主题：ZNO薄膜 氧化锌薄膜 MOCVD 氧化锌 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵方海
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院
研究主题：半导体激光器 衬底 金刚石薄膜 激光器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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