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李建平

作品数：79 被引量：71H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
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胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 迁移率 MOCVD 成核
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李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 氮化镓 GSMBE生长 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉军学
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 金属有机物 MOCVD生长 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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