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柏松

作品数:116 被引量:14H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

领域

  • 22个电子电信
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主题

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  • 8个单片
  • 8个电极
  • 8个电力
  • 8个电力电子

机构

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  • 6个南京电子器件...
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资助

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传媒

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  • 3个全国第十二届...
  • 2个太阳能学报

地区

  • 23个江苏省
  • 1个北京市
  • 1个四川省
25 条 记 录,以下是 1-10
黄润华
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:导电类型 碳化硅 沟道 MOSFET器件 导通电阻
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陈刚
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 自对准 碳化硅器件 高温退火
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汪玲
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 高温退火 沟道电阻 刻蚀 导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶永洪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
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李理
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:刻蚀 碳化硅 硅外延 碳化 酸性溶液
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘昊
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:划片 圆片 旋涂 沟道 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘奥
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨勇
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:导电类型 碳化硅 衬底 各向异性腐蚀 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王泉慧
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:刻蚀 干法刻蚀 亚微米 半导体器件 反应气体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海琪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 BCB 亚微米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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