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柏松
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116
被引量:14
H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
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合作作者
黄润华
中国电子科技集团公司第五十五研...
陈刚
中国电子科技集团公司第五十五研...
汪玲
中国电子科技集团公司第五十五研...
陶永洪
中国电子科技集团公司第五十五研...
李理
中国电子科技集团公司第五十五研...
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黄润华
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:导电类型 碳化硅 沟道 MOSFET器件 导通电阻
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陈刚
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 自对准 碳化硅器件 高温退火
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汪玲
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 高温退火 沟道电阻 刻蚀 导通电阻
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陶永洪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
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李理
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:刻蚀 碳化硅 硅外延 碳化 酸性溶液
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刘昊
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:划片 圆片 旋涂 沟道 外延层
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刘奥
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
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杨勇
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:导电类型 碳化硅 衬底 各向异性腐蚀 介质层
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王泉慧
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:刻蚀 干法刻蚀 亚微米 半导体器件 反应气体
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刘海琪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 BCB 亚微米
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