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曹峻松

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
曹国华
供职机构：河南理工大学
研究主题：有机电子 有机发光二极管 有机电致发光器件 空穴注入 传输层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦大山
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：有机发光二极管 有机电子 空穴 阴极沉积 电子传输
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
关敏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：有机电致发光器件 生物传感器 空穴注入 空穴注入层 透明阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王立
供职机构：南昌大学
研究主题：GAN MOCVD MOCVD生长 光致发光 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：臭氧 微波炉 微波加热 微波 石英管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方芳
供职机构：南昌大学
研究主题：ZNO 量子点 ALD 纳米线 光催化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑畅达
供职机构：南昌大学
研究主题：GAN 硅衬底 X射线双晶衍射 SI衬底 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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