您的位置： 专家智库 > >

栾国旗

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 12个电子电信
  • 7个理学
  • 3个冶金工程
  • 2个化学工程
  • 2个机械工程
  • 2个动力工程及工...
  • 2个自动化与计算...
  • 1个金属学及工艺
  • 1个电气工程
  • 1个水利工程
  • 1个交通运输工程

主题

  • 9个单晶
  • 8个硅单晶
  • 7个抗辐照
  • 7个抗辐照加固
  • 7个辐照加固
  • 6个单晶生长
  • 6个位错
  • 6个晶向
  • 4个多晶
  • 4个多晶硅
  • 4个真空
  • 4个提纯
  • 3个单晶炉
  • 3个电阻率
  • 3个英寸
  • 3个锗单晶
  • 3个少子寿命
  • 3个数值模拟
  • 3个翘曲度
  • 3个区熔

机构

  • 12个中国电子科技...
  • 3个中国电子科技...
  • 2个天津大学
  • 1个天津工业大学
  • 1个电子部

资助

  • 4个国家部委资助...
  • 2个天津市自然科...
  • 1个国家自然科学...

传媒

  • 10个电子工业专用...
  • 9个天津科技
  • 7个半导体技术
  • 7个第十三届全国...
  • 3个第十五届全国...
  • 1个燃烧科学与技...
  • 1个节能技术
  • 1个Journa...
  • 1个车用发动机
  • 1个工程塑料应用
  • 1个实验力学
  • 1个现代塑料加工...
  • 1个内燃机工程
  • 1个天津大学学报...
  • 1个电源技术
  • 1个半导体杂志
  • 1个天津大学学报
  • 1个微纳电子技术
  • 1个科技资讯
  • 1个中国电子科学...

地区

  • 11个天津市
  • 1个北京市
共 12 条 记 录，以下是 1-10
马玉通
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：翘曲度 硅 钢线 断线 线切割
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张殿朝
供职机构：天津工业大学
研究主题：区熔 少子寿命 硅单晶 区熔硅单晶 数值模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫萍
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：区熔 硅单晶 区熔硅单晶 高阻 少子寿命
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李丹
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：汽油机 滚流 硅单晶 进气道 缸内
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵光军
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：抗辐照加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
纪秀峰
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：微波 英寸 砷化镓 压延 高介电常数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王世援
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：硅单晶 碳 碳复合材料 掺磷 硅单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史继祥
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：少子寿命 电阻率 硼 晶向 Γ辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨士超
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：线切割 晶片 翘曲度 SIC 钢线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘锋
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：硅单晶 直拉法 SI 锗 单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0