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赵丽霞

作品数：94 被引量：46H指数：5
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陈秉克
供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题：外延片 外延层 衬底 硅外延 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁肇耿
供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题：外延片 硅外延片 硅外延 外延层 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴会旺
供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题：碳化硅 外延片 硅外延 硅外延片 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛宏伟
供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题：外延片 硅外延片 电阻率 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张鹤鸣
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴显英
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：晶圆 应变SI 绝缘层 SIGE BICMOS
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舒斌
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋建军
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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