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陈猛

作品数：55 被引量：20H指数：3
供职机构：清华大学更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺理学更多>>

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共 60 条 记 录，以下是 1-10
王曦
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董业民
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI工艺 注氧隔离 场效应晶体管 抗辐射 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王湘
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 注氧隔离 键合 高温退火 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林梓鑫
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 低剂量 硅 SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
易万兵
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI SIMOX 氧 氮 注氧隔离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：苏州大学机电工程学院
研究主题：SIMOX圆片 低剂量 球磨 锗 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金波
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 注氧隔离 SIMON 氧 高温退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李炜
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：场发射显示器 金刚石薄膜 非晶金刚石薄膜 类金刚石薄膜 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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