2024年7月10日
星期三
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陈堂胜
作品数:
389
被引量:299
H指数:8
供职机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
自动化与计算机技术
金属学及工艺
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合作作者
孔月婵
南京电子器件研究所
任春江
微波毫米波单片集成和模块电路重...
李拂晓
微波毫米波单片集成和模块电路国...
任春江
中国电子科技集团公司第五十五研...
陈辰
微波毫米波单片集成和模块电路重...
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国家高技术研...
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中国科学院知...
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固体电子学研...
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安徽省
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孔月婵
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 氮化镓晶体管 键合
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研究领域
任春江
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
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所获资助
研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品
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供职机构
所获资助
研究领域
任春江
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:铝镓氮 电极 栅电极 接触系统 欧姆接触
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相关人物
供职机构
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研究领域
陈辰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
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焦刚
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 功率MMIC
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相关人物
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研究领域
陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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吴立枢
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:衬底 键合 键合材料 金刚石 氮化镓晶体管
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杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
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研究领域
林金庭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
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