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陈堂胜

作品数:389 被引量:299H指数:8
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

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孔月婵
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 氮化镓晶体管 键合
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任春江
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:铝镓氮 电极 栅电极 接触系统 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 功率MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴立枢
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:衬底 键合 键合材料 金刚石 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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