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黄润华

作品数：22 被引量：49H指数：4
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柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 碳化硅 4H-SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘奥
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶永洪
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪玲
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：H型 界面态 碳化硅 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC H型 碳化硅 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
栗锐
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 势垒 4H-SIC HFET 干法刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘昊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC FET器件 DMOS 功率 PIN二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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