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徐筱乐

作品数:13 被引量:14H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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领域

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地区

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36 条 记 录,以下是 1-10
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘旭
供职机构:东南大学
研究主题:平面光波光路 波导 芯片 平面光波光路芯片 多模干涉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖金标
供职机构:东南大学
研究主题:波导 硅基 多模干涉 平面光波光路 槽式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张明德
供职机构:东南大学电子科学与工程学院
研究主题:波分复用 光纤通信 光纤 WDM 波长重用
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹春海
供职机构:南京大学
研究主题:隧道结 AL 超导 超导薄膜 NB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡纯
供职机构:深圳市计量质量检测研究院
研究主题:平面光波光路 多模干涉 光滤波器 平面波导器件 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙小菡
供职机构:东南大学
研究主题:波分复用 平面光波光路 光纤 无源光网络 慢波结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨端良
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:离子注入 砷化镓 GAAS 射频 SPDT开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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