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郑若成

作品数：70 被引量：28H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

领域

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地区

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洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王印权
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 淀积 半导体工艺 浮栅 编程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐海铭
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘国柱
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 高可靠 浮栅 反熔丝 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑良晨
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 半导体工艺 淀积 光刻 极板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤赛楠
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：电路 测试向量 反熔丝 抗辐射 片上网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴素贞
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 反熔丝 淀积 多晶 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺琪
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 抗辐射 多晶 NPN 高抗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 单粒子 抗辐射 淀积 通孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐政
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 半导体功率器件 抗辐射 多晶 氧
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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