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黄子乾

作品数：12 被引量：14H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 ALGAAS 异质结双极晶体管 MOVPE GAAS_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张岚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 MOCVD生长 SEM 4H-SIC ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许正荣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS_MMIC PIN二极管 单片 开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肖
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT 宽禁带 ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向武
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅外延 异质结 自掺杂 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋东铭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：CMOS工艺 CMOS 低噪声放大器 砷化镓 PIN二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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