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王杏华

作品数:8 被引量:13H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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10 条 记 录,以下是 1-10
余金中
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:SOI 光开关 硅基 波导 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑厚植
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李承芳
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院
研究主题:YB PR 光子晶体 共掺 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘剑
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:模数转换器 太赫兹波 电容失配 图像 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋爱民
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:态密度 双势垒 二维电子 GAAS/ALAS 电子态
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李国华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程文超
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氧化硅 光致发光 Δ掺杂 砷化镓 微结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李月霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:异质结 NC-SI 砷化镓 XGA H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨小平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 砷化镓 自组织生长 砷化铟 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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