您的位置： 专家智库 > >

章其麟

作品数：12 被引量：16H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金军事电子预研基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 33个电子电信
  • 19个理学
  • 11个机械工程
  • 10个电气工程
  • 8个一般工业技术
  • 6个医药卫生
  • 5个金属学及工艺
  • 4个化学工程
  • 4个自动化与计算...
  • 3个经济管理
  • 3个航空宇航科学...
  • 3个核科学技术
  • 2个农业科学
  • 2个文化科学
  • 1个生物学
  • 1个天文地球
  • 1个石油与天然气...
  • 1个交通运输工程
  • 1个环境科学与工...
  • 1个社会学

主题

  • 24个砷化镓
  • 19个发光
  • 18个半导体
  • 17个氮化镓
  • 17个光谱
  • 15个异质结
  • 15个晶格
  • 12个导体
  • 12个电学
  • 12个淀积
  • 12个化物
  • 12个MOCVD生...
  • 11个电学性质
  • 11个GAN
  • 10个单晶
  • 8个单晶薄膜
  • 8个氮化
  • 8个低压
  • 8个汽相外延
  • 6个氮化物

机构

  • 13个北京大学
  • 8个中国电子科技...
  • 7个河北半导体研...
  • 5个中国科学院
  • 5个电子工业部
  • 5个机电部
  • 4个西安交通大学
  • 3个北京师范大学
  • 3个中国民用航空...
  • 3个中国科学院长...
  • 3个中国科学院长...
  • 2个北京有色金属...
  • 2个吉林大学
  • 2个上海第二医科...
  • 2个四川师范学院
  • 2个西安电子科技...
  • 2个中国科学院长...
  • 2个东莞市中镓半...
  • 1个吉林师范大学
  • 1个南京大学

资助

  • 20个国家自然科学...
  • 11个国家高技术研...
  • 9个国家教育部博...
  • 8个国家重点基础...
  • 7个国家教委资助...
  • 7个国家重点实验...
  • 4个北京市自然科...
  • 4个中国博士后科...
  • 4个国家杰出青年...
  • 2个广东省自然科...
  • 2个国防基金
  • 2个国防科技技术...
  • 2个国际原子能机...
  • 2个军事电子预研...
  • 2个北京市科技计...
  • 2个高等学校科技...
  • 2个国防科技工业...
  • 2个全球变化研究...
  • 1个北京市科技新...
  • 1个福建省自然科...

传媒

  • 20个Journa...
  • 11个半导体情报
  • 11个物理学报
  • 11个红外与毫米波...
  • 11个发光学报
  • 9个光学学报
  • 9个稀有金属
  • 8个光电子．激光
  • 8个科学通报
  • 8个第十二届全国...
  • 7个半导体技术
  • 7个北京大学学报...
  • 7个物理
  • 6个固体电子学研...
  • 5个物理化学学报
  • 5个光散射学报
  • 5个中国有色金属...
  • 4个低温物理学报
  • 4个中国科学（A...
  • 4个光谱学与光谱...

地区

  • 15个北京市
  • 11个河北省
  • 3个吉林省
  • 2个陕西省
  • 1个天津市
共 34 条 记 录，以下是 1-10
关兴国
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：外延层 MOCVD生长 砷化镓 氮化物半导体 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙文红
供职机构：北京大学物理学院技术物理系
研究主题：碳 GAN 氮化镓 电学性质 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦国刚
供职机构：北京大学
研究主题：光致发光 多孔硅 硅 电致发光 纳米硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁家昌
供职机构：中国民用航空学院理学院
研究主题：砷化镓 外延层 光致发光 微量元素 深能级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵家龙
供职机构：吉林师范大学
研究主题：量子点 光致发光 纳米晶 超微粒子 光学性质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严北平
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极晶体管 双极晶体管 HBT ALGAAS/GAAS 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高瑛
供职机构：中国科学院长春物理所
研究主题：深能级 光致发光 超微粒子 光学性质 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈开茅
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：砷化镓 深能级 异质结 硅 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗晋生
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 双极晶体管 X HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任永一
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：材料力学性质 MOCVD生长 HBT材料 GAALAS/GAAS 化学汽相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0