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苏树兵

作品数:11 被引量:5H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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18 条 记 录,以下是 1-10
刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐安怀
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:INP DHBT 磷化铟 异质结双极晶体管 气态源分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于进勇
供职机构:中国人民解放军海军航空工程学院
研究主题:HBT 无人机 滑模控制 反舰导弹 反演
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:异质结双极晶体管 GAAS 自对准 INGAP/GAAS_HBT ICP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鸣
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:氮化镓 氢化物气相外延 阳极氧化铝 磷化铟 厚膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘训春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:晶体管 HBT 电子束曝光 显影 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑丽萍
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT GAAS 自对准 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑英奎
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 ALGAN/GAN GAN 电子束光刻 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱鹤
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 刻蚀 自对准硅化物 淀积 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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