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陈可炜

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
俞跃辉
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨文伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：功率器件 击穿电压 SOI材料 LDMOS SOI_LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋朝瑞
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 SOI 介质薄膜 SOI_LDMOS 高介电常数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王湘
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI结构 SOI材料 SIMOX圆片 离子注入机 低剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢玉梅
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：碳化硅 高温 氧化铪 SOI材料 铪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
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李文钧
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：鼾声 毫米波 物联网 电极 振动
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李炜
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：场发射显示器 金刚石薄膜 非晶金刚石薄膜 类金刚石薄膜 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑志宏
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 铪 离子注入 离子束增强沉积 性能研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：苏州大学机电工程学院
研究主题：SIMOX圆片 低剂量 球磨 锗 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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