2024年7月10日
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高建峰
作品数:
45
被引量:63
H指数:5
供职机构:
南京电子器件研究所
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发文基金:
江苏省自然科学基金
国家自然科学基金
国家部委预研基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
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合作作者
李拂晓
南京电子器件研究所
杨乃彬
南京电子器件研究所
陈效建
南京电子器件研究所
黄念宁
南京电子器件研究所
张有涛
南京电子器件研究所
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李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
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杨乃彬
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MMIC HFET GAN
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陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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所获资助
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黄念宁
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 单片功率放大器
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张有涛
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
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夏冠群
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
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邹鹏辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:电子束蒸发 GAAS INP基 金膜 TI
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陈辰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
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韩春林
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:INP基 电子束光刻 MESFET 空气桥 分子束外延
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研究领域
蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
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