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朱小锋

作品数：41 被引量：25H指数：3
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
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共 20 条 记 录，以下是 1-10
赵洪超
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：反熔丝 Γ剂量率 性能研究 剂量率 中子辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许献国
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：电磁脉冲 闭锁 抗辐射 CMOS器件 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜川华
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：反熔丝 Γ剂量率 性能研究 微控制器 电离辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周开明
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：X射线 剂量率 电磁脉冲 集成电路 超宽带
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨有莉
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：剂量率 校准方法 三端稳压器 80C31单片机 测量不确定度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
詹峻岭
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：反熔丝 性能研究 电离辐照 FPGA 延时电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶灿
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：中子辐照 三端稳压器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖龙远
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：自适应 KALMAN滤波 引信 面向对象 再入飞行器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余彦胤
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：保护器件 场强 EMP 抽样方案 测量不确定度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁国火
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
研究主题：FPGA 辐照效应 反熔丝 总剂量 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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