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张光斌

作品数：4 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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地区

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林世鸣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 VCSEL 半导体激光器 激光器 半导体微腔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康学军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 半导体激光器 激光器 砷化镓 VCSEL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程澎
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 VCSEL 半导体激光器 激光器 低阈值
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘文楷
供职机构：北方工业大学
研究主题：光子晶体 慢光 服务器 半导体微腔 卸载
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 沉孔 激光器 固体激光器 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 硅 锗 半导体材料 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
渠波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 氮化镓 GAN外延层 外延层 立方GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武术
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MSM光探测器 等效电路 垂直腔面发射激光器 DBR ALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹青
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 发光二极管 ALGAINP 铝镓铟磷 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘世安
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 半导体 立方GAN 超辐射 VCSEL器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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