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张进诚: 作品数：4 被引量：0H指数：0; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

合作作者

郝跃西安电子科技大学微电子学院微电...
白俊春西安电子科技大学
李志明西安电子科技大学
杨艳西安电子科技大学微电子学院微电...
龚欣西安电子科技大学微电子学院微电...

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郝跃: 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：势垒层电极场板高电子迁移率晶体管氮化镓; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

李志明: 供职机构：济南大学信息科学与工程学院; 研究主题：MOCVD 温度场氮化物非极性均匀性; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

白俊春: 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院; 研究主题：MOCVD GAN CFD 发热体环形槽; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

刘新宇: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：氮化镓刻蚀欧姆接触衬底外延层; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

魏珂: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：氮化镓刻蚀势垒层欧姆接触 ALGAN/GAN; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

王冲: 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：高电子迁移率晶体管电极 ALGAN/GAN HEMT器件势垒层; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

龚欣: 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：高介电常数金属膜蒸发 GAN SUB; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

刘杰: 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：网络高分辨率信号源肖特基接触存储介质; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

杨艳: 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所; 研究主题：ICP NI/AU 感应耦合等离子体刻蚀损伤肖特基接触; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

冯倩: 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：击穿电压场板 ALGAN/GAN 淀积 ALGAN/GAN_HEMT; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

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