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罗卫军

作品数：113 被引量：31H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
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陈晓娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT KU波段 氮化镓 内匹配
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庞磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 研磨工艺 氮化镓 减薄 金属
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袁婷婷
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT DOHERTY功率放大器 氮化镓 KU波段 微带型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪宁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：减薄 研磨工艺 化学机械抛光 光刻胶 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 迁移率 MOCVD 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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