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胡强

作品数：30 被引量：9H指数：2
供职机构：四川大学更多>>
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相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

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共 37 条 记 录，以下是 1-10
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍自强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 反应管 厚膜 蓝宝石 石英
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢铁城
供职机构：四川大学
研究主题：透明陶瓷 高等教育 碳化硼 纳米粉体 素坯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉军学
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 金属有机物 MOCVD生长 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敦少博
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 沟道 势垒 微电子器件 电子束曝光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氢化物气相外延 衬底 厚膜 氮化物 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 氢化物气相外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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