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郑安生

作品数:30 被引量:26H指数:3
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划河北省科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

领域

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地区

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34 条 记 录,以下是 1-10
屠海令
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:硅 单晶 硅单晶 存储器 底电极
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邓志杰
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:太阳电池 单晶 半导体材料 晶体生长 GASB单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞斌才
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:GAP单晶 计算机 单晶生长 单晶 英寸
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黎建明
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:GAAS 晶体生长 英寸 ZNS 数值模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱嘉裕
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:砷化镓 GAAS 密封 红外激光 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹士平
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:计算机 单晶 英寸 AP 浮渣
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林泉
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:单晶生长 固液界面 砷化镓 单晶 高纯锗探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡广勇
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:扫描电镜 织构 电子背散射衍射 立方织构 数字图像
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙彪
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:VGF 固液界面 单晶生长 通量 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰翊
供职机构:北京有色金属研究总院
研究主题:数值模拟 砷化镓 单晶硅 提拉法 GAAS晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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