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李肖

作品数:7 被引量:7H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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地区

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14 条 记 录,以下是 1-10
黄子乾
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PIN二极管 GAAS 砷化镓 单片 金属有机化合物气相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘彬
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:金属有机化合物气相淀积 ALGAAS 异质结双极晶体管 MOVPE GAAS_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张岚
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:金属有机化合物气相淀积 MOCVD生长 SEM 4H-SIC ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向武
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅外延 异质结 自掺杂 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦刚
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 宽禁带半导体
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陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:离子注入 4H-SIC 离子注入工艺 肖特基势垒二极管 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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