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刘学锋

作品数：16 被引量：25H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
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孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE GESI/SI 硅化锗 SIGE 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
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黄大定
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 硅 年谱 半导体材料 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵霄
供职机构：中国科学院
研究主题：GSMBE GSMBE生长 MBE 磷化铟 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林燕霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体管材料 SIGE HBT SIGE/SI GSMBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵宵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE 硅 SI 热裂解 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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