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张建辉
作品数:
6
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H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
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合作作者
刘志凯
中国科学院半导体研究所
秦复光
中国科学院半导体研究所
姚振钰
北京大学信息科学技术学院微电子...
林兰英
中国科学院半导体研究所
吴正龙
北京师范大学分析测试中心
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刘志凯
供职机构:中国科学院
研究主题:低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
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姚振钰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:ZNO薄膜 低能离子束 硅 PLD法 脉冲激光淀积
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所获资助
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秦复光
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅 FESI 低能离子束 PLD法 脉冲激光淀积
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吴正龙
供职机构:北京师范大学
研究主题:XPS 离子束辅助 X射线光电子能谱 氧 硅
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供职机构
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林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
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廖梅勇
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:金刚石膜 SI薄膜 碳膜 PLD法 脉冲激光淀积
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高维滨
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAN 氮化镓 IBD 硅 MOCVD生长
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张国炳
供职机构:北京大学
研究主题:硅化物 多晶硅 离子注入 微机电系统 MEMS
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柴春林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
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王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
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