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王国伟

作品数：12 被引量：35H指数：4
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐应强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤宝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INAS/GASB超晶格 超晶格 红外光电探测器 盖层 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任洋
供职机构：云南师范大学
研究主题：掺杂 探测率 红外探测器 暗电流 INASSB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任正伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 INAS/GASB超晶格 分子束外延 盖层 红外光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝瑞亭
供职机构：云南师范大学
研究主题：铜锌 分子束外延 太阳电池 超晶格 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董文飞
供职机构：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
研究主题：荧光 介孔二氧化硅 量子点 细胞 折射率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘思佳
供职机构：云南师范大学
研究主题：铜锌 磁控溅射 硫 薄膜太阳电池 CZTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢军亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 超晶格材料 分子束外延 INAS/GASB超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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