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张广银

作品数：10 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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  • 2个文化科学
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机构

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传媒

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地区

  • 7个北京市
共 7 条 记 录，以下是 1-7
卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱阳军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT IGBT器件 集电极 绝缘栅双极晶体管 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极型晶体管 感性负载 关断 建模与仿真研究 电压变化率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
喻巧群
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT 半导体功率器件 元胞 漂移区 场限环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
滕渊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：感性负载 关断 建模与仿真研究 绝缘栅双极型晶体管 电压变化率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：版图 冗余 集成电路版图 互连线 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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