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张文亮

作品数：25 被引量：11H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 10个北京市
共 10 条 记 录，以下是 1-10
朱阳军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT IGBT器件 集电极 绝缘栅双极晶体管 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谈景飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT器件 载流子 储层 衬底 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
褚为利
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：场限环 终端结构 终端 终端区 IGBT器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：淀积 衬底 场板 IGBT器件 IGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵佳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT 绝缘栅双极晶体管 元胞 闩锁 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴振兴
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：击穿电压 绝缘栅双极晶体管 闩锁 衬底 场限环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 SIC 沟槽 源极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 绝缘栅双极晶体管 集成电路 栅氧化层 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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