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姚进

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

领域

  • 10个电子电信
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主题

  • 9个单粒子
  • 8个单粒子效应
  • 8个电路
  • 8个SOI
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  • 7个抗辐射
  • 6个总剂量辐射
  • 6个抗辐照
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机构

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  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 2个国家自然科学...
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  • 1个江苏省自然科...
  • 1个江苏省“33...

传媒

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  • 1个集成电路与嵌...
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地区

  • 10个江苏省
共 10 条 记 录，以下是 1-10
周昕杰
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 版图 抗辐射 EEPROM 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周晓彬
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 场区 ESD SOI工艺 版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 背栅效应 背栅 负电压 寄生
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘滨
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子 FPGA 表决器 表决
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡永强
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：版图 MOS管 总剂量辐射效应 版图设计 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘永灿
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：存储器测试 标准单元库 FIFO SRAM SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈菊
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：MOSFET IC 热载流子效应 电路 尺寸设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖志强
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 互联 抗辐射 总剂量 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大为
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 抗辐射 H型 LDMOS器件 KINK效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈瑶
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 单粒子效应 表决器 表决 PLL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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