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耿苗

作品数：8 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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地区

  • 6个北京市
共 6 条 记 录，以下是 1-6
孙朋朋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 X波段 低通 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张蓉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 功率管 功放电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗卫军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 HEMT 金属 ALGAN/GAN 研磨工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微电子机械系统 HEMT 开关功率放大器 芯片 氮化硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王琦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数字移相器 PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 MMIC X波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 数字移相器 MMIC X波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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