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改善短沟效应的栅控半导体器件
本发明公开了一种改善短沟效应的栅控半导体器件，涉及半导体高频器件技术领域。包括栅结构，所述栅结构通过两条以上的栅根进行支撑，所述栅根的总长度与单栅根的栅控半导体器件的栅根长度相同。所述栅控半导体采用多栅根的栅结构，且多栅...
王元刚冯志红敦少博吕元杰房玉龙徐鹏宋旭波谭鑫
文献传递
双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降被引量：5
2001年
基于电荷分享原理 ,推导了双栅和环栅 MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降 ,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响 ,并用数值模拟验证了理论结果 .这些研究结果对进一步开展纳米
甘学温王旭社张兴
关键词：双栅MOSFET短沟效应场效应晶体管
环栅和双栅MOSFET短沟效应分析
基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降,分析了栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效应的影响,并用数值模拟验证了理论结果。这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很...
甘学温王旭社张兴
文献传递
深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析被引量：1
1999年
短沟效应将成为限制ＭＯＳ器件进一步缩小的主要因素。利用求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的变分方法对短沟效应进行了分析，导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。同时考虑了栅介质、沟道耗尽层和埋层ＳｉＯ２中的二维效应，结果只与边界条件与长沟解的差有关，具有清晰的物理意义。均匀掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ、本征掺杂沟道体硅ＭＯＳ－ＦＥＴ、常规ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ和双栅ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的短沟效应数值模拟比较结果与模型结论完全一致。表明模型能对不同器件结构的细致差别正确模拟。研究结果为设计抑制短沟效应的新型器件提供了指导。
陈文松田立林李志坚
关键词：POISSON方程变分法深亚微米MOSFET短沟效应
利用变分方法分析深亚微米MOS器件中的短沟效应
利用求解泊松方程的变分方法导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。均匀掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ、该征掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ和ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ短沟效应数值模拟比较结果与模型结论完全一致，表明模型能对不同器件结构的细...
陈文松田立林李志坚
关键词：MOS器件短沟效应栅介质
利用变分方法分析深亚微米MOS器件中的短沟效应
该文利用求解泊松方程的变分方法导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。均匀掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ、该征掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ和ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ短沟效应数值模拟比较结果与模型结论完全一致，表明模型能对不同器件结构...
陈文松田立林李志坚
关键词：MOS器件短沟效应栅介质
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深亚微米全耗尽SOI MOSFET的短沟效应的研究
通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。在此基础上，根据该模型，结合采用数值分析方法的器件模拟软件ＭＥＤＩＣＩ及有关的实验数据，对器件的短沟效...
付军田立林
关键词：MOSFET专用集成电路
一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法
本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个...
何进何箫梦魏益群李春来胡国庆
基于纳米片堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法
本发明公开了一种基于纳米片堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法；该生物传感器包括衬底、源区、纳米片堆叠区、隔离区以及漏区；纳米片堆叠区靠近隔离区的一侧被环形的栅金属层包围形成沟道区，另一侧与源区相接触形成源接触区；纳米...
刘飞辰
SiC功率MOSFET器件及其制作方法
本发明提供一种SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率MOSFET器件包括：SiC衬底；N‑外延层，所述N‑外延层位于所述SiC衬底之上；有源区，所述有源区为多个，多个所述有源区相间隔地排布于所述N‑外...
张景超戚丽娜井亚会林茂俞义长赵善麒
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韩汝琦
作品数：160被引量：132H指数：6
供职机构：北京大学
研究主题：MOS晶体管 掺杂 存储器 半导体 自对准
宋旭波
作品数：239被引量：25H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 场效应晶体管 肖特基二极管 电极 衬底
冯志红
作品数：691被引量：158H指数：7
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 氧化镓 金刚石 场效应晶体管 衬底
刘恩峰
作品数：10被引量：12H指数：2
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子学系
研究主题：短沟效应 流体动力学 半导体器件 MOSFET 场效应晶体管
张兴
作品数：872被引量：586H指数：12
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 集成电路 沟道 电路 锗