公共文化服务平台

搜索到47篇“ BSIM3模型“的相关文章

基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模被引量：3: 2007年; 提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生参数。该模型能方便地在电路设计软件中实现,并能预测最高达40 GHz频率范围内的变容管特性。; 夏立诚王文骐胡嘉杰; 关键词：毫米波 CMOS MOS变容管

基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模: 本文提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS设计实现积累型MOS变容管,并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型,通过M...; 夏立诚王文骐胡嘉杰; 关键词：毫米波 CMOS MOS变容管; 文献传递

亚微米MOSFET的BSIM3模型参数提取被引量：3: 1999年; 文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取，给出了器件结构、测试系统及提取结果，并对提取模型的精确性进行了分析。; 夏增浪胡贵才; 关键词：MOSFET BSIM3模型亚微米

基于BSIM3模型的宽温区MOS器件参数提取研究: 器件模型的参数提取是电路设计十分关键的环节，是连接工艺生产与电路设计的桥梁。在集成电路制造业中，模型参数对应集成电路生产工艺，工艺参数的细微变化都会引起该工艺的模型参数发生相应的变化。本文首先简述了MOS器件...; 罗浩; 关键词：MOS器件 CMOS工艺电路设计

基于BSIM3的0.5μm工艺CMOS器件建模及纳米级RF器件STI应力的研究: 伴随着集成电路中的器件尺寸越来越小，集成规模不断增大，集成电路工序越复杂，对器件模型精度的要求也日趋增高。当今，一个精确的器件模型无疑已经成为集成电路设计者首先要解决的问题，也一直是国内外研究的重点和热点。在即将进入纳米...; 余云娟; 关键词：BSIM3模型

艰难困苦玉汝于成——访艾克赛利公司总裁张锡盛博士: 2010年; 本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方向是半导体器件模型BSIM3和参数提取方法。为BSIM3模型成为工业界标准做出了贡献。曾在位于美国硅谷的著名Celestry Design Technologies，Inc．公司担任研发副总经理，领导团队成功开发了一系列的EDA软件工具，并在此期间申请了多个美国专利。张锡盛博士对SPICE仿真软件、器件模型、数值计算、器件测量等都有很深的研究。; 挽弓; 关键词：博士后 BSIM3模型总裁中科院院士

基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进被引量：2: 2008年; 针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取。在开放的PSP模型Verilog-A代码基础上完成改进代码的实现。最终的结果表明,采用改进后的模型,仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合,该模型大大提高了PSPI-V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度,对于实用高压集成电路的设计和仿真有着重要意义。; 孙玲玲何佳刘军; 关键词：高压LDMOS VERILOG-A BSIM3模型

高压MOSFET的BSIM3 I-V模型研究与改进: 随着集成电路飞速发展和集成电路制造工艺水平的提高，芯片的集成度越来越高，同时也对新的集成电路设计与制造提出了更高的要求，其中包括应用日益广泛的高压集成电路。高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路...; 任铮; 关键词：BSIM3模型 SPICE; 文献传递

高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量：1: 2006年; 针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.; 任铮石艳玲胡少坚金蒙朱骏陈寿面赵宇航; 关键词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管

超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2: 2006年; 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。; 段成华柳美莲; 关键词：模拟IC BSIM3模型短沟道效应

相关作者