搜索到92篇“ PH-ISFET“的相关文章
- 聚合物在pH-ISFET研究中的应用
- 2007年
- 聚合物具有许多无机物没有的特性,已被越来越多地应用到pH-ISFET中,主要体现在4个方面,即pH敏感膜、pH钝化膜、结构材料及封装材料。在介绍pH-ISFET工作机理的基础上,分析了其对功能薄膜的要求,总结、比较了各种用于pH-ISFET的聚合物的特性、制备方法及其应用。
- 汪祖民韩泾鸿任振兴陈绍凤夏善红
- 关键词：离子敏场效应管敏感膜钝化膜
- 新型pH-ISFET芯片系统研究
- 2007年
- 该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H^+敏感PPy膜;与采用低温Ta_2O_5敏感薄膜技术研制的集成芯片进行了比较。集成芯片具有灵敏度54mV/pH,响应时间0.1s,在pH1～12范围内线性相关系数99.99%的优良性能。
- 汪祖民任振兴韩泾鸿边超杨海钢夏善红
- 关键词：离子敏场效应管片上系统聚吡咯敏感膜
- MEMS工艺制备pH-ISFET/REFET功能膜研究被引量：2
- 2007年
- 微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的:以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法:在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜;结果:在pH1～12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H+的灵敏度达56mV/pH,PTFE膜REFET对H+的响应仅为0.13mV/pH;结论:采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工.
- 汪祖民韩泾鸿任振兴杨海钢夏善红
- 关键词：离子敏场效应管功能膜微电子机械系统
- 基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
- 2006年
- 研制了一种采用0．35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET／REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC)。其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(Polypyrrole,聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终得到了pH响应为56mV／pH的高灵敏度。
- 汪祖民孙红光韩泾鸿边超陈绍凤夏善红
- 关键词：离子敏场效应管聚吡咯敏感膜
- pH-ISFET生物微传感集成芯片的研究
- 本文以pH-ISFET为基础，研究了电位型生物传感集成芯片系统(SystemonChip，SOC)的相关理论及关键技术。
创新地引入了悬浮栅结构ISFET，利用Ta2O5的敏感性和聚四氟乙烯(PTFE)的钝化特...
- 孙红光
- 关键词：集成芯片PH-ISFET
- 文献传递
- 有机膜在pH-ISFET中的应用研究
- 随着人们对有机材料的性质认识的深入,有机物在传感器领域的应用也不断加宽.本文以不同工艺在差分结构pH-ISFET芯片敏感区域固定了有机膜.测量结果发现,在pH1-12范围内,以电化学法制备的PPy材料pH敏感膜,对pH的...
- 汪祖民韩泾鸿任振兴边超陈绍凤夏善红
- 关键词：有机膜化学传感器电化学法磁控溅射法
- 基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
- 研制了一种采用0.35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET/REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC).其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终...
- 汪祖民孙红光韩泾鸿边超陈绍凤夏善红
- 关键词：离子敏场效应管聚吡咯敏感膜电化学
- 文献传递
- 基于Ppy敏感膜的pH-ISFET研制
- 研制了一种采用0.35μm标准CMOS工艺制造的,集成ISFET/REFET及其信号处理电路于一体的集成化芯片系统(SOC).其中ISFET敏感膜为采用电化学法制备的导电聚合物Ppy(聚吡咯),通过对各种条件的优化,最终...
- 关键词：离子敏场效应管聚吡咯敏感膜电化学
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- 基于pH-ISFET片上系统的研究
- 本文采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,该芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路.芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准C...
- 孙红光韩泾鸿魏金宝夏善红
- 关键词：微传感器CMOSISFET
- 文献传递
- 基于pH-ISFET片上系统的研究
- 采用标准CMOS工艺实现了基于pH-ISFET微传感器与读出电路的单芯片集成,谊芯片包括差分结构ISFET/REFET传感器、金属准参比电极、恒流源和前级读出电路。芯片采用商用0.35μm,4-金属和2-多晶硅标准CMO...
- 孙红光韩泾鸿魏金宝夏善红
- 关键词：ISFETSOCCMOS
- 文献传递
相关作者
- 韩泾鸿
- 作品数：118被引量：178H指数：7
- 供职机构：中国科学院电子学研究所
- 研究主题：传感器 敏感膜 离子敏场效应管 光寻址电位传感器 ISFET
- 夏善红
- 作品数：423被引量：622H指数：12
- 供职机构：中国科学院电子学研究所
- 研究主题：电场传感器 微型电场传感器 屏蔽电极 电场 传感器
- 孙红光
- 作品数：15被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院电子学研究所
- 研究主题：PH-ISFET 聚吡咯 MEMS 片上系统 ISFET
- 王贵华
- 作品数：32被引量：12H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学
- 研究主题：化学量传感器 传感器 场效应器件 ISFET PH-ISFET
- 丁辛芳
- 作品数：25被引量：38H指数：4
- 供职机构：东南大学微电子中心
- 研究主题：传感器 集成传感器 PH-ISFET 微型泵 SI
