-
钟兴华
-
![](/images/user-pic.gif)
-
![](/images/index-lm-pic2.jpg)
- 所属机构:中国科学院微电子研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家高技术研究发展计划
相关作者
- 海潮和
![](/images/user-pic.gif)
- 作品数:135被引量:127H指数:7
- 供职机构:中国科学院微电子研究所
- 研究主题:SOI 绝缘体上硅 英文 集成电路 电路
- 吴峻峰
![](/images/user-pic.gif)
- 作品数:11被引量:8H指数:2
- 供职机构:中国科学院微电子研究所
- 研究主题:英文 SOI NMOSFETS 击穿 槽栅
- 徐秋霞
![](/images/user-pic.gif)
- 作品数:366被引量:60H指数:4
- 供职机构:中国科学院微电子研究所
- 研究主题:金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
- 杨建军
![](/images/user-pic.gif)
- 作品数:6被引量:1H指数:1
- 供职机构:中国科学院微电子研究所
- 研究主题:NMOS器件 AR GATE 硅化物 击穿特性
- 韩郑生
![](/images/user-pic.gif)
- 作品数:626被引量:220H指数:6
- 供职机构:中国科学院微电子研究所
- 研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 反相器