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国家重点基础研究发展计划(G2000036503)

作品数：12 被引量：10H指数：2
相关作者：谭长华许铭真张兴黄如王阳元更多>>
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文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇英文
  • 5篇MOSFET
  • 4篇氧化层
  • 4篇载流子
  • 4篇热载流子
  • 4篇晶体管
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 4篇超薄
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇薄栅
  • 3篇薄栅氧化层
  • 3篇超薄栅
  • 3篇超薄栅氧化层
  • 3篇V
  • 2篇热载流子应力
  • 2篇辐照
  • 2篇辐照效应
  • 2篇半导体

机构

  • 12篇北京大学

作者

  • 8篇许铭真
  • 8篇谭长华
  • 4篇万新恒
  • 4篇赵要
  • 4篇王阳元
  • 4篇黄如
  • 4篇张兴
  • 3篇胡靖
  • 3篇高文钰
  • 2篇毛凌锋
  • 2篇霍宗亮
  • 1篇张贺秋
  • 1篇杨国勇
  • 1篇王子欧
  • 1篇段小蓉
  • 1篇谭静荣
  • 1篇甘学温
  • 1篇王金延
  • 1篇贾高升

传媒

  • 8篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇电子学报

年份

  • 2篇2006
  • 3篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法(英文)
2003年
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法 ,用于提取LDDn MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生 .这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用 .采用这种方法可以准确地确定界面陷阱在沟道区与漏区的产生 ,从而有利于更深入地研究LDD结构器件的退化机制 .
杨国勇毛凌锋王金延霍宗亮王子欧许铭真谭长华
关键词：热载流子应力LDD结构超薄栅氧化层
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化被引量：1
2006年
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,栅氧化层厚度5 nm器件更强。分析结果表明,随着器件沟长继续缩短和栅氧化层减薄,由于衬底正偏置导致的阈值电压减小、增强的寄生NPN晶体管效应、沟道热电子与碰撞电离空穴复合所产生的高能光子以及热电子直接隧穿超薄栅氧化层产生的高能光子可能打断S i-S iO2界面的弱键产生界面陷阱,加速n-M O S器件线性漏电流的退化。
赵要许铭真谭长华
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管可靠性热载流子效应
直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为(英文)
2003年
基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系 .这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命 .与常规的氧化层击穿实验相比 ,基于缺陷产生时间常数的预测更快。
霍宗亮毛凌锋谭长华许铭真
关键词：超薄栅氧化层MOS结构时变击穿
在V_g=V_d/ 2应力模式下 2.5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型(英文)
2004年
研究了 2 .5 nm超薄栅短沟 p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型 .栅电流由四部分组成 :直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入 .器件退化主要是由一次碰撞产生的电子和二次碰撞产生的空穴复合引起 .假设器件寿命反比于能够越过 Si- Si O2 界面势垒的二次碰撞产生的二次空穴数目 ,在此基础上提出了一个新的模型并在实验中得到验证 .
胡靖赵要许铭真谭长华
关键词：热载流子电子注入
高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型被引量：2
2001年
报道了一种用于在高剂量辐照条件下 MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型 .利用该模型对 MOS器件实验结果进行了模拟 ,模型计算结果与实验吻合较好 .初步分析了高剂量条件下不同散射机制对模拟结果的影响 。
万新恒张兴高文钰黄如王阳元
关键词：MOSFET总剂量辐照效应场效应晶体管
V_g=V_d/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)
2003年
讨论了最差应力模式下 (Vg=Vd/ 2 )宽沟和窄沟器件的退化特性 .随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化 .不同沟道宽度 p MOSFETs的主要退化机制是界面态产生 .沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率 .通过分析电流拥挤效应 ,阈值电压随沟道宽度的变化 ,速度饱和区特征长度的变化和 HAL O结构串联阻抗这些可能原因 ,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的 .
胡靖赵要许铭真谭长华
全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
2001年
报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .
万新恒张兴谭静荣高文钰黄如王阳元
关键词：SOIMOSFET场效应晶体管
HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化
2004年
研究了超薄栅 (2 .5 nm )短沟 HAL O- p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性 .随着应力电压的变化 ,器件的退化特性也发生了改变 .在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命 .在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的 ,随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的 .最后 。
胡靖赵要许铭真谭长华
关键词：热载流子
用DTPDO研究超薄栅氧化层的诱生缺陷
2006年
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。研究结果表明,三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加。三种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关。
贾高升许铭真谭长华段小蓉
关键词：金属-氧化物-半导体器件
不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流(英文)
2004年
研究了不同厚度的超薄栅 1.9nm到 3.0 nm器件在恒压应力下的栅电流变化 .实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分 ,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的 ,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的 .
张贺秋许铭真谭长华
关键词：超薄MOSFET
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