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国家重点基础研究发展计划(G2000036504)

作品数:3 被引量:16H指数:3
相关作者:任黎明陈宝钦谭震宇顾文琪薛丽君更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所山东大学中国科学院微电子中心更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电子束曝光
  • 1篇电路
  • 1篇电子束曝光系...
  • 1篇电子束直写
  • 1篇散射
  • 1篇输运
  • 1篇坐标转换方法
  • 1篇微光刻
  • 1篇微光刻技术
  • 1篇蒙特卡罗法
  • 1篇集成电路
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术
  • 1篇光学
  • 1篇MONTE_...
  • 1篇超大规模集成
  • 1篇超大规模集成...
  • 1篇大规模集成电...

机构

  • 3篇中国科学院微...
  • 2篇山东大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 3篇陈宝钦
  • 3篇任黎明
  • 2篇谭震宇
  • 1篇李金儒
  • 1篇杨清华
  • 1篇陆晶
  • 1篇张立辉
  • 1篇刘珠明
  • 1篇牛洁斌
  • 1篇顾文琪
  • 1篇胡勇
  • 1篇汤跃科
  • 1篇王德强
  • 1篇赵珉
  • 1篇龙世兵
  • 1篇刘明
  • 1篇徐秋霞
  • 1篇薛丽君

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光电工程

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2002
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律被引量:8
2002年
建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型 ,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程 ,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响 ,获得沉积能分布规律 :适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小 ,从而提高曝光分辨率 .
任黎明陈宝钦谭震宇
关键词:电子束曝光大规模集成电路超大规模集成电路
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术被引量:4
2006年
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.
陈宝钦刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌
关键词:微光刻技术电子束直写
一种新的散射电子空间输运坐标转换方法被引量:6
2002年
提出一种新的随动坐标系矢量转换方法,给出用于转换散射电子空间输运坐标的矩阵方程。 该方程具有递推的形式,计算方便,并且只涉及乘法运算,不会引起计算上的困难,将其用于PMMA-Si中电子散射过程的Monte Carlo模拟,结果表明可以有效节约机时,提高模拟效率,明显优于习惯上使用的静态坐标系方程。
任黎明陈宝钦谭震宇顾文琪
关键词:电子束曝光蒙特卡罗法
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