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国家自然科学基金(69976023)

作品数：10 被引量：38H指数：4
相关作者：康俊勇徐昌发杨银堂肖细凤黄启圣更多>>
相关机构：厦门大学西安电子科技大学日本东北大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇GAN
  • 2篇深能级
  • 2篇碳化硅
  • 2篇能级
  • 2篇纳米
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇SN
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇ALGAAS
  • 2篇DX中心
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化镓
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇杂质能级

机构

  • 7篇厦门大学
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇日本东北大学

作者

  • 7篇康俊勇
  • 2篇杨银堂
  • 2篇肖细凤
  • 2篇黄启圣
  • 2篇徐昌发
  • 1篇蔡端俊
  • 1篇沈耀文
  • 1篇刘莉
  • 1篇詹华瀚
  • 1篇朱梓忠
  • 1篇朱磊
  • 1篇余辛
  • 1篇冯夏

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇Chines...
  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2006
  • 5篇2002
  • 4篇2001
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算被引量：17
2002年
用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的相对位置 .模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置 ,包括其复合物 .计算结果表明 ,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN 、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致 .计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化 .计算了CN ON,CGa CN,CN OV 和CGa VGa,其中CN ON 分别具有深受主与浅施主的特征 ,是导致GaN黄光的一种可能的结构 .
沈耀文康俊勇
关键词：GAN杂质能级氮化镓O第一性原理
闪锌矿GaN(001)表面的电子结构被引量：4
2001年
采用混合基表示的第一原理赝势方法 ,计算了闪锌矿结构的 Ga N(0 0 1) (1× 1)干净表面的电子结构 .分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质 ,比较了 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面和 N端表面两种情况 .结果显示 ,闪锌矿 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面比 N端表面更稳定 ,这两种 (1× 1)表面都是金属特性 .此外 。
蔡端俊冯夏朱梓忠康俊勇
关键词：电子结构闪锌矿半导体材料
4H-SiC MESFET的特性研究
2002年
对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。
徐昌发杨银堂朱磊
关键词：MESFET碳化硅场效应器件
In situ Heating and Thermal Effects in Auger Electron Spectroscopy for GaN
2006年
一在里面加热系统的 situ 被造让钻电子光谱学调查钻线的热效果。A 轧了样品在这个系统被学习。Ga LMM 和 MVV 钻线的动能被观察与温度增加否定地变。由使用 ab initio 计算，理论 Ga MVV 钻线形状是合适的，它很好反映线的内部性质。有加热的钻移动在本地契约的热扩大与原子价电子重新整理被联系。
Fu-chun XuQi-he ZhangDan-xia Cen
关键词：超高真空GAN薄膜
AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构被引量：4
2002年
采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系 ,从而得到热俘获系数对温度依赖关系 ,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构 ;通过第一原理赝势法计算表明 ,Sn附近的Al
肖细凤康俊勇
关键词：DX中心深能级缺陷载流子
4H-SiC MOSFET的温度特性研究被引量：10
2002年
对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80
徐昌发杨银堂刘莉
关键词：4H-SICMOSFET碳化硅半导体材料结构参数
超细SnO_2纳米晶粒带边光吸收的线度效应被引量：2
2001年
采用超细过滤方法 ,分别制备含有平均线度小于 2nm的超细SnO2 纳米晶粒的酸性和碱性溶胶溶液 .通过动态光散射、X射线衍射和晶粒透射电子显微镜像测量 ,确定了SnO2 晶粒的线度 .对其光吸收谱测量发现 ,超细过滤后酸性和碱性溶胶溶液中晶粒的带边光吸收能量均有明显蓝移 .分析结果表明 ,SnO2 晶粒的线度减小是同类晶粒带边光吸收蓝移的主要原因 .
康俊勇S.TsunekawaA.Kasuya
关键词：透射电子显微镜
半导体光电子材料中的缺陷
2001年
介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .
康俊勇黄启圣
关键词：纳米管
用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构
2001年
用Laplace缺陷谱仪 (LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态 ,发现它们起因于混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较 ,LDS谱呈现出多峰结构。由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合 ,得到多峰结构各峰谱的激活能 ,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构。研究表明 ,LDS适用于深能级精细结构的研究。
余辛詹华瀚康俊勇黄启圣
关键词：深能级LAPLACE谱
AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心被引量：1
2002年
在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域组分所引起的Ｓｎ杂质及其最近邻Ａｓ原子的不同晶格驰豫,是产生两类类ＤＸ中心能级精细结构的主要原因．
肖细凤康俊勇
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