中国航空科学基金(2008ZE53043)
- 作品数：9 被引量：20H指数：3
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- 锗衬底上反应离子刻蚀制备宽波段红外增透结构的工艺及性能研究被引量：2
- 2009年
- 研究了利用反应离子刻蚀技术在Ge衬底上制备宽波段抗反射亚波长结构时工艺参数对刻蚀速率及刻蚀选择比的影响。利用场发射扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。利用傅里叶变换红外光谱仪对其红外透过率进行了研究。结果表明：所制备亚波长结构整齐、规则；在8～12μm波段增透8％左右，起到良好的宽波段红外抗反射效果。
- 沈祥伟刘正堂卢红成李阳平闫峰
- 关键词：宽波段反应离子刻蚀刻蚀速率
- ZnS衬底上二维亚波长结构抗反射表面的制备及性能研究被引量：2
- 2011年
- 采用接触式紫外光刻和反应离子刻蚀工艺在ZnS衬底上制备二维亚波长结构抗反射表面。在优化的光刻工艺下,以CH4、H2及Ar的混合气体为刻蚀剂,研究了刻蚀工艺对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,刻蚀速率随着射频功率的增大线性增大,随着工作压强的增加先增大后减小,随着CH4含量的增大先增大后降低。功率过大会导致刻蚀产物发生二次沉积,CH4流量过高会导致聚合物的生成加剧,这些都会影响刻蚀形貌。最后在优化的刻蚀工艺下制备出了8～12μm波段具有较好的宽波段增透效果的二维亚波长结构。
- 武倩刘正堂李阳平徐启远
- 关键词：抗反射反应离子刻蚀
- 反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究被引量：3
- 2012年
- 为了使用紫外纳米压印法制备出亚波长结构,研究了在石英衬底上采用光刻和反应离子刻蚀技术制备出紫外纳米压印模板,以及模板制备过程中工艺参数对光刻胶和刻蚀速率的影响。利用激光共聚焦显微镜(LSCM)及原子力显微镜(AFM)对光刻和刻蚀图形的表面形貌进行了观察,获得了工艺参数对光刻胶掩膜图形和刻蚀图形的影响规律;在最优工艺参数条件下,所制紫外纳米压印模板整齐、规则,并利用紫外可见近红外光谱仪对其紫外透过率进行了表征,反应离子刻蚀后石英模板的透过率在365 nm处仍大于90%。
- 张少峰刘正堂李阳平陈海波徐启远
- 关键词：光刻反应离子刻蚀刻蚀速率亚波长结构紫外纳米压印
- 锗衬底红外抗反射亚波长结构的研究被引量：4
- 2010年
- 为了减小锗表面的反射,利用模式理论对锗衬底正方柱形亚波长结构的衍射特性进行了研究。结果发现,当周期较小时,占空比大于0.78对透射率的影响比较明显;周期大于0.25λ,零级透射率随周期的增大急剧下降,而总透射率随周期的增大变化不大;周期较小透射率随结构高度的变化呈余弦周期性,周期增大透射率随结构高度的变化呈余弦赝周期性,并且周期越大余弦赝周期性越明显;此外,周期较小时,可以实现大角度范围内的高的透射率,周期较大时,可以制备为窄带滤波器。
- 徐启远刘正堂李阳平张淼
- 关键词：光学材料
- ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备被引量：7
- 2011年
- ZnS是长波红外窗口优选材料之一,而其表面反射率较高;为了减小表面反射,利用耦合波理论,对ZnS衬底表面的亚波长结构参数进行优化设计,得到了具有良好增透效果的最佳亚波长结构参数;并利用掩膜光刻、反应离子刻蚀技术在ZnS衬底表面制备出在8—12μm波段范围内有明显增透效果的二维亚波长结构,这为ZnS衬底的增透提供了一种新的方法.
- 徐启远刘正堂李阳平武倩张淼
- 关键词：耦合波理论反应离子刻蚀硫化锌
- RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响被引量：1
- 2010年
- 利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发性产物,加速了刻蚀速度。O2的加入生成的钝化膜会增强各向异性刻蚀,减慢了刻蚀速度,对衬底有刻蚀保护作用。增加压强可以增大刻蚀深度,但增加射频功率,刻蚀深度先是增加,达到一定值后下降。选择合适的工艺参数可以获得较为理想的金字塔形结构。
- 郑倩刘正堂李阳平张淼车兴森
- 关键词：反应离子刻蚀亚波长结构挥发性产物钝化膜
- 锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备被引量：1
- 2010年
- 为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高光刻胶图形的有效抗蚀厚度,能有效增加最大刻蚀深度;在设计上适当增大掩膜版图形尺寸,即占空比f要略大于理论设定值,可以弥补后续刻蚀过程占空比的缩小;在刻蚀气体SF6中掺入一定量的O2可明显提高Ge的刻蚀深度;降低横向刻蚀速率,从而有利于制备出锥形浮雕结构。
- 张淼刘正堂李阳平郑倩刘辉
- 关键词：反应离子刻蚀衍射效应刻蚀深度
- 等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化被引量：5
- 2009年
- 以GaP为靶材、Ar为工作气体,采用射频磁控溅射法制备了厚层GaP膜.对沉积过程中的辉光放电等离子体进行了发射光谱诊断,发现只有ArⅠ发射谱线.研究了工艺参数对发射谱线强度的影响规律,并在此基础上通过同时改变射频功率、Ar气流量及工作气压,使ArⅠ发射谱线强度保持相同.发现通过增大射频功率、减小工作气压而保持ArⅠ发射谱线强度不变可以提高GaP膜的沉积速率,并使GaP膜的沉积工艺参数得到优化.在优化后的工艺参数下制备出了符合化学计量比、红外透过性能好的厚层GaP膜.
- 李阳平刘正堂
- 关键词：射频磁控溅射等离子体发射光谱
- 锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备
- 2012年
- 为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构.
- 李阳平陈海波刘正堂武倩郑倩张淼徐启远
- 关键词：锗光刻反应离子刻蚀亚波长结构掩模
