国家重点基础研究发展计划(G2000-036503)
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 相关作者：谭长华许铭真张贺秋毛凌锋赵要更多>>
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- 超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性(英文)
- 2003年
- 研究了在软击穿后 MOS晶体管特性的退化 .在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数 .在软击穿后 ,输出特性和转移特性只有小的改变 .在软击穿发生时 ,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的 .但是 ,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加 .对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明 ,软击穿后的电流机制是 FN隧穿 ,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的 .
- 张贺秋许铭真谭长华
- 关键词：MOSFET软击穿超薄
- 一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型
- 2006年
- 对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅（2～4nm）短沟（0.13～0.25μm）nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.
- 赵要许铭真谭长华
- 关键词：MOS器件HALO结构直接隧穿电流
- 不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化(英文)
- 2004年
- 研究了热载流子应力下栅厚为 2 .1nm ,栅长为 0 .135μm的 p MOSFET中 HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系 .实验发现 ,器件的退化机制对 HAL O掺杂剂量的改变不敏感 ,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着 HAL O掺杂剂量的增加而增加 .实验同时发现 ,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关 ,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关 .
- 赵要胡靖许铭真谭长华
- 关键词：热载流子PMOS器件HALO结构
- 利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量被引量：1
- 2001年
- 给出了一种利用 FN振荡电流的极值 ,测量电子在薄栅 MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式 .用干涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的 MOS结构的二氧化硅介质层中的有效质量表明 :它一般在自由电子质量的 0 .5 2— 0 .84倍的范围 .实验结果表明 :电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化 ,并且对于相同的MOS结构 。
- 毛凌锋谭长华许铭真
- 关键词：栅氧化层FN振荡电流场效应晶体管
- 一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式(英文)被引量：2
- 2004年
- 建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧穿电流 .在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压 -电容方法模拟得到的氧化层厚度小 ,其偏差在 0 .3nm范围内 .
- 张贺秋许铭真谭长华
- 关键词：直接隧穿电流NMOSFET超薄
- 超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流(英文)被引量：2
- 2002年
- 用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管 (MOSFET)隧穿电流的影响 .中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱 .对于不同的势垒变化 ,计算了电子隧穿氧化层厚度为 4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流 .结果表明 ,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略 ,中性陷阱的存在使隧穿电流增加 ,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制 .
- 张贺秋毛凌锋许铭真谭长华
- 关键词：超薄氧化层隧穿电流场效应晶体管
- 利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究(英文)
- 2003年
- 基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布 .发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽的 ,同时也与文献报道的 DCIV等方法的结果是一致的 .与其它的提取方法相比 ,采用弛豫谱技术的这两种方法更加简单和方便 .
- 霍宗亮毛凌锋谭长华许铭真
- 关键词：MOS结构
