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天津市科技计划(10SYSYJC28100)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：左长云安玉凯刘技文更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇C轴
  • 1篇C轴取向
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇刘技文
  • 1篇安玉凯
  • 1篇左长云

传媒

  • 1篇天津理工大学...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO_3薄膜研究
2011年
采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明:样品在空气中经1 000℃退火1 h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,具有高c轴取向,晶粒排列致密且粒径尺寸均匀.
安玉凯左长云刘技文
关键词：C轴取向射频磁控溅射
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