国家重点基础研究发展计划(206CB3027-01)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- SOI动态阈值MOS器件结构改进
- 2009年
- 传统SOI DTMOS器件固有的较大体电阻和体电容严重影响电路的速度特性,这也是阻碍SOI DTMOS器件应用于大规模集成电路的最主要原因之一。有人提出通过增大硅膜厚度的方法减小器件体电阻,但随之而来的寄生体电容的增大严重退化了器件特性。为了解决这个问题,提出了一种SOI DTMOS新结构,该器件可以分别优化结深和硅膜的厚度,从而获得较小的寄生电容和体电阻。同时,考虑到沟道宽度对体电阻的影响,将该结构进一步优化,形成侧向栅-体连接的器件结构。ISE-TCAD器件模拟结果表明,较之传统SOI DTMOS器件,该结构的本征延时和电路延时具有明显优势。
- 宋文斌毕津顺韩郑生
- 关键词：绝缘体上硅体电阻
